臺北科研人員在半導體制程設備與技術上取得一項突破，被譽為“半導體電漿制程測漏尖兵”的“微型光譜即時偵測器”由臺灣精密儀器發(fā)展中心宣布研發(fā)成功。 　　精密儀器發(fā)展中心主任陳建人今天在記者會上介紹，臺灣半導體產業(yè)發(fā)展快速，已創(chuàng)下高達兆元新臺幣的產值，各大廠對制程設備投資更是不遺余力，不過這些昂貴的設備幾乎完全仰賴進口，于是該中心以“半導體電漿制程漏氣微型光譜即時偵測器研制”課題，參加為提升島內半導體制程設備與技術所推動的“儀器設備合作開發(fā)研究計劃”，以有效提升產業(yè)競爭力。 　　在目前與下一代半導體生產設備的四個制程模塊中，薄膜沉積與蝕刻兩個模塊有過半機臺需要使用電漿制程，以一座標準八英寸或十二英寸晶圓廠而言，約有一百臺設備是使用電漿制程，當腔體發(fā)生漏氣時，將會降低產品合格率與提高生產成本，嚴重時更將導致晶圓廠生產線作業(yè)停擺，造成業(yè)者莫大的損失，因此即時漏氣偵測儀器的開發(fā)刻不容緩。 　　精密儀器發(fā)展中心副研究員高健薰博士介紹，現有臺灣一般晶圓廠的制程質量管理多采用每十二小時進行一次晶圓半成品樣本特性檢測方式作管控，當半成品合格率降低時，并不容易確認問題是來自于腔體漏氣或其它原因。因為缺乏實時偵測儀器，以目前常用之電漿氣相化學沉積機臺為例，平均每小時可以鍍制四十片八英寸晶圓，若在每十二小時半成品樣本檢測程序中間腔體發(fā)生漏氣時，將造成約新臺幣七百二十萬之成本損失。即使確認漏氣是合格率降低的主因，期間停機尋找發(fā)生原因的損失也難以估計。 　　科研人員經過一年兩個月的研究，開發(fā)出這種輕薄短小且為獨立于系統(tǒng)設備之外的實時偵測儀器。其工作原理系運用電漿制程中各種氣體均具有不同特征光譜譜線的特性，若腔體發(fā)生漏入空氣的情況，腔體內氣體成分將發(fā)生改變，如此即可藉由偵測氮氣或氧氣的特征譜線來加以確認。一旦有設定之異?，F象出現，便可由控制系統(tǒng)發(fā)出預防性的警示信號，對減少生產成本并對產品的合格率及品質提升大有助益。這項研發(fā)創(chuàng)意已于聯華電子公司晶圓廠的電漿制程設備線上測試，該廠工程師認為切實可行。 　　高建薰表示，微型光譜即時偵測器除應用于半導體電漿制程設備外，平面顯示器等需使用電漿制程設備的高科技產業(yè)也可使用，在精密的九十納米以下制程工藝、苛刻的腔體漏測偵測需求時將更有用武之地。此項研發(fā)成果已申請專利并將積極對外推廣，估計僅島內就有上萬臺的市場。