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三星首推2G雙倍速DDR DRAM 80納米芯片 (2004-09-23)

發(fā)布時(shí)間:2007-12-04 作者: 來(lái)源:CNET 瀏覽:1107
三星電子公司日前宣布,該公司已經(jīng)利用60納米技術(shù)開發(fā)出一款8GB的NAND閃存芯片,從而蕩平了通往16GB閃存設(shè)備的大道上的技術(shù)樊籬,此類設(shè)備有望來(lái)年面世。   與此同時(shí),該公司還宣布了一項(xiàng)消息:該公司采用80納米技術(shù),推出了世界首款2GB雙倍速DDR DRAM芯片,目前此類芯片廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)部件中。   8Gb NAND 閃存的問世使得在一塊存儲(chǔ)板卡上設(shè)計(jì)16GB存儲(chǔ)系統(tǒng)成為可能。16GB存儲(chǔ)空間的概念是:可以連續(xù)播放16小時(shí)高畫質(zhì)DVD或者是4000首(每首5分鐘)MP3歌曲的容量。   此類高集成度精密電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于三維單元晶體管結(jié)構(gòu)以及高度門絕緣技術(shù),這樣可以將單元之間的干擾降到最低。此外,借助于廣泛使用的KrF微印技術(shù),成本可以壓縮近一半。   三星電子半導(dǎo)體部總裁Hwang Chang-gyu說:“開發(fā)進(jìn)展表明,半導(dǎo)體容量還可以通過改進(jìn)設(shè)計(jì)及工藝而加以擴(kuò)大,而不是依靠單一的微處理技術(shù)”。   Hwang博士稱,業(yè)內(nèi)存儲(chǔ)密度經(jīng)歷了1999年的256MB、2000年的512MB、2001年的1GB、2002年的2GB、2003年4GB以及2004年的8GB一系列演化過程”。與著名的摩爾定律(稱計(jì)算機(jī)芯片的處理能力每隔18個(gè)月將翻倍)相對(duì)比,這種推論常被稱作“Hwang氏定律”。   三星公司預(yù)計(jì)在2005年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)這種2GB芯片。   他還預(yù)測(cè)到,來(lái)年全球半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)速度將會(huì)在今年20%的增長(zhǎng)速度基礎(chǔ)上有所放緩、成為10%。   上周,摩根斯坦利(Morgan Stanley)降低了其對(duì)2005年半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)期,從原來(lái)預(yù)計(jì)的的13%到18%降低為8%到12%。
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