三星8月25日表示，為擴(kuò)大產(chǎn)能，計(jì)劃再興建一座12寸晶圓廠，采用65納米制程生產(chǎn)NAND型閃存等產(chǎn)品。 　　三星美國子公司Samsung Semiconductor Inc. 技術(shù)行銷副總Jon Kang指出：“我們將興建新的65納米生產(chǎn)線。”公司正積極研發(fā)70納米以下產(chǎn)品，包括一8GB閃存裝置。 　　三星一發(fā)言人表示，這座12寸廠蓋好也是好幾年以后的事，除此之外并未透露更多內(nèi)容。Samsung目前在京畿道華城市有一座12寸廠，采用新的100納米制程生產(chǎn)新款DDR2芯片。這座工廠也生產(chǎn)2GB flash，但使用的是90納米制程。 　　Kang表示，2GB將公司今年主力產(chǎn)品，公司也正努力研發(fā)4GB和8GB的NAND flash。初期產(chǎn)品將使用70納米以下制程。首批產(chǎn)品是8GB NAND，樣品應(yīng)可在年底發(fā)表，但要到2006年才會量產(chǎn)。 　　三星為維持市場領(lǐng)先地位積極擴(kuò)張產(chǎn)能。Kang表示：“我們的目標(biāo)是每年將產(chǎn)品容量提高1倍。” 　　據(jù)市場研究公司iSuppli的最新報(bào)告，三星雖然在全球flash市場坐穩(wěn)首位，但第二季度flash銷售比第一季度減少4.6%，市占率由23.6%降至21.2%。