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美研發(fā)出測量納米級材料相互作用的探針

發(fā)布時間:2011-01-10 作者: 來源: 瀏覽:329813

      美國加州大學(xué)洛杉磯分校17日表示,該校納米系統(tǒng)科學(xué)主任保羅?維斯領(lǐng)導(dǎo)的研究小組開發(fā)出了研究納米級材料相互作用的工具??雙掃描隧道顯微和微波頻率探針,可用于測量單個分子和接觸基片表面的相互作用。
  過去50年中,電子工業(yè)界努力遵循著摩爾定律:每兩年集成電路上晶體管的尺寸將縮小大約50%。隨著電子產(chǎn)品尺寸的不斷縮小,目前已到了需要制作納米級晶體管才能繼續(xù)保持摩爾定律正確性的地步。

  由于納米級材料和大尺寸材料所展現(xiàn)的特性存在差異,因此人們需要開發(fā)新的技術(shù)來探索和認識納米級材料的新特征。然而,研究人員在研發(fā)納米級電子元器件方面遇到的障礙是,人們沒有相應(yīng)的能力去觀察如此小尺寸材料的特性。

  元器件間的連接是納米級電子產(chǎn)品至關(guān)重要的部分。就分子設(shè)備而言,分子極化性測量的范圍涉及到電子與單個分子接觸的相互作用。極化性測量有兩個重要方面,它們分別是接觸表面以次納米分辨率精度進行測量的能力,以及認識和控制分子開關(guān)兩個狀態(tài)的能力。

  為測量單個分子的極化性,研究小組研發(fā)出能夠同時進行掃描隧道顯微鏡測量和微波異頻測量的探針。借助探針的微波異頻測探,研究人員將能確定單個分子開關(guān)在基片上的位置,即使開關(guān)處于“關(guān)”的狀態(tài)也不例外。在開關(guān)定位后,研究人員便可利用掃描隧道顯微鏡變換開關(guān)的狀態(tài),并測量每個狀態(tài)下單分子和基片之間的相互作用。

  維斯說,新開發(fā)的探針能夠獲取單分子和基片之間物理、化學(xué)和電子相互作用以及相互接觸的數(shù)據(jù)。維斯同時還是著名的化學(xué)和生化以及材料科學(xué)和工程教授。參與研究工作的還有美國西北大學(xué)的理論化學(xué)家馬克?瑞特奈和萊斯大學(xué)合成化學(xué)家詹姆斯?圖爾。

  據(jù)悉,研究小組新的測量探針所提供的信息集中在電子產(chǎn)品的極限范圍,而不是針對要生產(chǎn)的產(chǎn)品。此外,由于探針有能力提供多參數(shù)的測量,它有可能被研究人員用來鑒定復(fù)雜生物分子的子分子結(jié)構(gòu)。

 

 

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