熱電集團(tuán)推出創(chuàng)新一代X射線(xiàn)探測(cè)器 (2005-05-24)
發(fā)布時(shí)間:2007-12-04
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5月19日,美國(guó)熱電集團(tuán)向外界宣布,該公司全新一款X射線(xiàn)探測(cè)器問(wèn)世。該產(chǎn)品可配置在熱電集團(tuán)的MicroXRT系列微束X熒光分析系統(tǒng)上,對(duì)于半導(dǎo)體及微電子行業(yè)的薄膜分析,該探測(cè)器有著其他產(chǎn)品無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)。
微束X射線(xiàn)熒光分析系統(tǒng)采用了能量色散X熒光光譜和聚焦光路技術(shù),是一種對(duì)于金屬薄膜進(jìn)行分析的理想工具。而熱電集團(tuán)此次發(fā)布的全新固態(tài)X射線(xiàn)探測(cè)器將極大地?cái)U(kuò)展系統(tǒng)的使用靈活性,該技術(shù)將不再需要液氮冷卻,維護(hù)更方便,可快速啟停。
對(duì)于薄膜分析領(lǐng)域,熱電的固態(tài)Si(Li) 探測(cè)器具有非常高的分辨率和靈敏度。同時(shí),由于Si(Li)探測(cè)器的能量范圍上限可達(dá)29 keV,因而可以對(duì)更重的元素進(jìn)行檢測(cè)。而10mm的有效檢測(cè)器區(qū)域,使得Si(Li)探測(cè)器具有更窄的幾何角度以及大取樣角,從而大大改善了對(duì)于痕量元素的檢出限。
作為一項(xiàng)相對(duì)而言較新的技術(shù),熱電集團(tuán)的固態(tài)硅漂移探測(cè)器對(duì)于那些要求有高計(jì)數(shù)率或是高通量的應(yīng)用領(lǐng)域尤為理想。它可以提供更短的分析時(shí)間,更出色的精確度,并且計(jì)數(shù)率統(tǒng)計(jì)速度較之以往提高了十倍。
在一些對(duì)于分辨率和靈敏度有著苛刻要求的分析領(lǐng)域,熱電集團(tuán)還可以提供一項(xiàng)該公司的專(zhuān)利技術(shù)??真空導(dǎo)管技術(shù)(Vacuum ConduitT),作為微束X射線(xiàn)熒光分析系統(tǒng)的選件。這項(xiàng)技術(shù)將使X射線(xiàn)束產(chǎn)生與檢測(cè)通道處于真空狀態(tài)而無(wú)需再對(duì)樣品室抽真空,樣品可直接暴露在大氣環(huán)境下。