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熱電集團(tuán)升級該公司三級四極桿質(zhì)譜儀 (2004-09-22)

發(fā)布時間:2007-12-04 作者: 來源:儀器信息網(wǎng) 瀏覽:1818
近日,美國熱電集團(tuán)將高選擇性反應(yīng)監(jiān)測技術(shù)(H-SRM)引入該公司的Finnigan? TSQ Quantum系列三級四極桿質(zhì)譜儀中。該技術(shù)較之目前普遍采用的選擇性反應(yīng)監(jiān)測(SRM)定量技術(shù)更為先進(jìn),可極大消除化學(xué)干擾,減少錯誤的正離子的生成,從而達(dá)到降低檢出限的目的。 據(jù)熱電集團(tuán)相關(guān)人士介紹,該項(xiàng)技術(shù)尤其對于醫(yī)藥分析實(shí)驗(yàn)室的科研人員特別有用,可在保證分析的準(zhǔn)確性和靈敏度的同時,又使獲取的數(shù)據(jù)信息量較之以往提高了三到四倍。 當(dāng)今,制藥行業(yè)面臨的一個主要問題是在提高處理和分析樣品能力的同時,如何保證實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。而H-SRM技術(shù)的高選擇性既降低了目標(biāo)分析物的檢出限,又保證了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。由于減少了離子傳輸過程中的損失,熱電集團(tuán)的三級四極桿質(zhì)譜獲得了更高水平的限量標(biāo)準(zhǔn)。 對于三級四級桿質(zhì)譜而言,采用SRM技術(shù)時的可被選擇的母離子的質(zhì)/荷比范圍在±0.5或者更高。而采用H-SRM技術(shù)時可被選擇的母離子的質(zhì)/荷比范圍在±0.1或者更低。
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